Datos del artículo
| Marca | Samsung |
| Referencia | MZ-V9V1T0BW |
| EAN | 8806099020699 |
Especificaciones técnicas
| SDD, capacidad | 1 TB |
| Factor de forma de disco SSD | M.2 |
| Interfaz | PCI Express 4.0 |
| NVMe | Si |
| Tipo de memoria | V-NAND |
| Componente para | PC |
| Encriptación de hardware | Si |
| Versión NVMe | 2.0 |
| Algoritmos de seguridad soportados | 256-bit AES, TCG Opal 2.0 |
| Tamaño de la unidad SSD M.2 | 2280 (22 x 80 mm) |
| Velocidad de lectura | 7150 MB/s |
| Velocidad de escritura | 6450 MB/s |
| Lectura aleatoria (4KB) | 700000 IOPS |
| Escritura aleatoria (4KB) | 1100000 IOPS |
| Carriles datos de interfaz PCI Express | x4 |
| Función DevSleep | Si |
| Revisión PCI Express CEM | 4.0 |
| Soporte S.M.A.R.T. | Si |
| Soporte TRIM | Si |
| Tiempo medio entre fallos | 1500000 h |
| Voltaje de operación | 3,3 V |
| Consumo de energía (lectura) | 4 W |
| Consumo de energía (escritura) | 3,7 W |
| Consumo de energía (espera) | 0,055 W |
| Consumo de potencia DevSlp (modo sueño) | 3 mW |
| Ancho | 80,2 mm |
| Profundidad | 2,38 mm |
| Altura | 22,1 mm |
| Tipo de embalaje | Caja |
| Intervalo de temperatura operativa | 0 - 70 °C |
| Golpes en funcionamiento | 1500 G |